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国防科技重点实验室基金(JS0926270)

作品数：1 被引量：17H指数：1
相关作者：恩云飞黄云崔晓英更多>>
相关机构：信息产业部电子第五研究所更多>>
发文基金：国防科技重点实验室基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇单片
  • 1篇单片微波
  • 1篇单片微波集成...
  • 1篇电路
  • 1篇砷化镓
  • 1篇砷化镓器件
  • 1篇微波集成
  • 1篇微波集成电路
  • 1篇集成电路
  • 1篇GAAS器件
  • 1篇MMIC

机构

  • 1篇信息产业部电...

作者

  • 1篇崔晓英
  • 1篇黄云
  • 1篇恩云飞

传媒

  • 1篇失效分析与预...

年份

  • 1篇2010
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
GaAs器件和MMIC的失效分析被引量：17
2010年
从可靠性物理的角度,分析引起砷化镓(GaAs)器件和单片微波集成电路(MMIC)退化或失效的主要失效模式及其失效机理,明确了GaAsMMIC的可靠性问题主要表现为有源器件、无源器件和环境因素等引入了损伤退化,并针对几种常见的失效原因:过电烧毁、静电损伤、器件分层、设计和工艺缺陷等进行举例分析,为生产和使用过程中控制其主要的失效模式及失效机理提供参考和依据。
崔晓英黄云恩云飞
关键词：砷化镓器件单片微波集成电路
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共1页<1>
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