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文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇理学
  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 4篇等离子体
  • 4篇微波等离子体
  • 3篇淀积
  • 3篇微波
  • 2篇A-SI
  • 2篇H
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  • 1篇电池
  • 1篇太阳能
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  • 1篇氢化非晶硅
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  • 1篇金刚石
  • 1篇金刚石薄膜
  • 1篇化学气相
  • 1篇化学气相沉积
  • 1篇光谱
  • 1篇光谱仪

机构

  • 7篇中国科学技术...
  • 1篇中国科学院

作者

  • 7篇王春林
  • 6篇彭定坤
  • 6篇孟广耀
  • 3篇项志遴
  • 2篇詹如娟
  • 2篇高克林
  • 1篇刘金英
  • 1篇杨萍华
  • 1篇曹传宝
  • 1篇陈春华

传媒

  • 2篇无机材料学报
  • 1篇硅酸盐通报
  • 1篇中国科学技术...
  • 1篇核聚变与等离...
  • 1篇真空

年份

  • 4篇1992
  • 1篇1991
  • 1篇1990
  • 1篇1988
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
微波等离子体化学气相沉积的 a-Si∶H 性能研究
1992年
本文着重对微波等离子体化学气相沉积法高速沉积的 a-Si∶H 膜的物理性能进行评价研究.测量了沉积膜的光电性能、暗电导激活能、光禁带宽度、光吸收特性、沉积膜中悬键态密度以及氢含量等,并讨论沉积条件对膜性能的影响.结果表明,在沉积速率高达30~90(?)/s 情况下,膜的光电导(光照强度10~5Lux)与暗电导比值可达10~3~10~5,暗电导率从10^(-3)到10^(-11)((?)cm)^(-1),其激活能在0.23~0.88eV 之间(0~200℃温度范围内),光禁带宽度为1.40~2.20eV,氢含量约为2~20%.
王春林孟广耀杨萍华彭定坤
关键词:氢化非晶硅等离子体化学气相沉积
微波等离子体CVD制备金刚石薄膜的宏观参数讨论
1992年
本文研究了微波等离子体化学气相沉积制备金刚石薄膜的宏观控制参量对成核和生 长过程的影响.过高的碳源浓度、低的衬底温度不利于金刚石膜的生长.在金刚石膜的 成核和生长期采用不同的条件,生长出晶形较好的金刚石薄膜。
高克林王春林詹如娟孟广耀彭定坤项志遴
关键词:微波等离子体金刚石薄膜半导体
金刚石簿膜淀积过程中微波等离子体特性被引量:1
1992年
一、引言 在金刚石薄膜的制备过程中,人们往往监测成膜过程中的宏观参量,使其工艺的重复性,优选性受到了很大限制。而随着对膜质量和结构的要求越来越高,人们开始开展对低压下合成金刚石机理的研究,但至今未见系统地研究宏观参量与等离子体参量方面的工作报道。
高克林王春林詹如娟彭定坤孟广耀项志遴
关键词:淀积金刚石
微波等离子体化学气相淀积法制备YBaCuO超导薄膜初步研究被引量:1
1990年
本文介绍了文献中尚未见报道的利用微波等离子体CVD系统制备YBaCuO超导薄膜的探索性研究结果。在不断调整各工艺参数的基础上,摸索到了生成主相为YBa_2Cu_3O_(7-(?))的较佳淀积条件,并且通过XRD和SEM等分析比较了SrTiO_3单晶、YSZ单晶和宝石作为衬底的淀积效果。
陈春华彭定坤孟广耀王春林罗继业曹传宝
关键词:微波等离子体超导薄膜
氢化非晶硅膜高速淀积的研究被引量:1
1992年
本文报道了用微波等离子体化学气相淀积(MP—CVD)技术从 SiH_4+H(?)进行 a-Si∶H 薄膜的高速淀积研究。对淀积参数对淀积行为的影响、淀积膜的结构性能也进行了研究。研究表明,在保证材料具有一定质量的前提下,用该技术能达到高达30μm/h 的淀积速率,且淀积效率达到近100%。
彭定坤王春林孟广耀
关键词:淀积氢化太阳能电池
微波等离子体和a-Si.H高速淀积的研究
王春林
CCD光谱仪诊断低温微波等离子体被引量:1
1991年
用智能化CCD光谱仪进行微波(2450MHz)激发的低温等离子体的发射光谱诊断,测量了不同放电功率、流量和压强下的H_α,H_β,H_γ谱线的强度,结果与双探针法一致。
刘金英项志遴王春林彭定坤孟广耀
关键词:CCD光谱仪等离子体微波
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