您的位置： 专家智库 > >

崔晓英

作品数：12 被引量：37H指数：3
供职机构：信息产业部电子第五研究所更多>>
发文基金：电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室基金国防科技重点实验室基金国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇期刊文章
  • 5篇会议论文

领域

  • 11篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 6篇可靠性
  • 4篇GAAS器件
  • 3篇加速寿命试验
  • 3篇MMIC
  • 3篇GAAS
  • 2篇砷化镓
  • 2篇砷化镓器件
  • 2篇微波功率晶体...
  • 2篇晶体管
  • 2篇功率晶体管
  • 2篇SIC_ME...
  • 1篇单片
  • 1篇单片微波
  • 1篇单片微波集成...
  • 1篇电路
  • 1篇电容
  • 1篇有源
  • 1篇有源器件
  • 1篇元件
  • 1篇增益

机构

  • 11篇信息产业部电...
  • 2篇南京电子器件...
  • 1篇华南理工大学
  • 1篇电子元器件可...

作者

  • 12篇崔晓英
  • 4篇黄云
  • 3篇恩云飞
  • 2篇柏松
  • 2篇陈刚
  • 1篇廖超
  • 1篇李斌
  • 1篇许燕
  • 1篇来萍

传媒

  • 3篇电子产品可靠...
  • 1篇半导体技术
  • 1篇电子器件
  • 1篇微电子学
  • 1篇失效分析与预...
  • 1篇第十二届全国...
  • 1篇第十三届全国...
  • 1篇中国电子学会...
  • 1篇2007’第...

年份

  • 2篇2010
  • 4篇2009
  • 2篇2008
  • 4篇2007
共 12 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
微波功率晶体管的发展和应用前景
本文阐述了国内外硅双极微波功率晶体管和砷化镓微波功率场效应晶体管的发展历史和现状,并分析了微波功率晶体管的发展特点。介绍了HBT、HEMT、SiC电子器件、真空微电子器件等用于或将用于微波、毫米波功率领域中的情况，提出了...
崔晓英
关键词：微波器件功率晶体管
文献传递
GaAs器件寿命试验及其方法比较
本文介绍了加速寿命试验方法的理论基础,并针对GaAs器件慨述了几种常用的寿命试验方法及其数据处理模型,在阐述了加速寿命试验的实施过程后,对几种寿命试验方法进行了比较,并明确其各自的优缺点,指出研究既快速又准确的加速寿命测...
崔晓英
关键词：加速寿命试验数据处理模型可靠性砷化镓器件
文献传递
GaAs PHEMT器件高温加速寿命试验及物理分析被引量：5
2010年
GaAs微波器件的退化与金属化稳定性密切相关,实现PHEMT器件功能的金属化主要有栅金属化、欧姆接触金属化和信号传输线金属化。本文针对定制的GaAs PHEMT器件的栅金属接触孔链和欧姆接触金属方块条进行了高温加速应力寿命试验,并对器件金属化失效单机理进行寿命预计,同时对试验后的样品进行物理分析。结果显示栅金属接触孔链在180℃下就发生失效,接触孔链表面的金属化层形变,金属化发生了迁移;而AuGeNi欧姆接触在225℃高温下更易发生电迁移失效,金属向体内扩散并在金属条上形成空洞。
崔晓英许燕黄云
关键词：GAASPHEMT欧姆接触
GaAs器件寿命试验及其方法比较
本文介绍了加速寿命试验方法的理论基础,并针对GaAs器件概述了几种常用的寿命试验方法及其数据处理模型,在阐述了加速寿命试验的实施过程后,对几种寿命试验方法进行了比较,并明确其各自的优缺点,指出研究既快速又准确的加速寿命测...
崔晓英
关键词：GAAS可靠性加速寿命试验
文献传递
MMIC器件可靠性和质量面临挑战
本文概述了现阶段 MMIC 器件的质量和可靠性发展的情况,从 MMIC 的工艺,结构、各种相关失效机理,以及典型案例多种角度对 MMIC 器件进行分析,明确了 MMIC 的可靠性问题主要表现为有源器件、无源元件和环境因素...
崔晓英
关键词：MMICHBT
文献传递
MMIC器件可靠性和质量面临挑战
本文概述了现阶段MMIC器件的质量和可靠性发展的情况。从MMIC的工艺、结构、各种相关失效机理,以及典型案例多种角度对MMIC器件进行分析,明确了MMIC的可靠性问题主要表现为有源器件、无源元件和环境因素引入的损伤退化,...
崔晓英
关键词：产品质量可靠性有源器件无源元件环境因素
文献传递
高温正向栅电流下Ti／Pt／Au栅SiC MESFET的栅退化机理
2009年
SiC MESFET器件的性能强烈依赖于栅肖特基结的特性,而栅肖特基接触的稳定性直接影响其可靠性。针对SiC MESFET器件在微波频率的应用中射频过驱动导致高栅电流密度的现象,设计了两种栅极大电流的条件,观察栅肖特基接触和器件特性的变化,并通过对试验数据的分析,确定了栅的寄生并联电阻的缓慢退化是导致栅肖特基结和器件特性退化,甚至器件烧毁失效的主要原因。
崔晓英黄云恩云飞陈刚柏松
关键词：SIC可靠性
GaAs器件和MMIC的失效分析被引量：17
2010年
从可靠性物理的角度,分析引起砷化镓(GaAs)器件和单片微波集成电路(MMIC)退化或失效的主要失效模式及其失效机理,明确了GaAsMMIC的可靠性问题主要表现为有源器件、无源器件和环境因素等引入了损伤退化,并针对几种常见的失效原因:过电烧毁、静电损伤、器件分层、设计和工艺缺陷等进行举例分析,为生产和使用过程中控制其主要的失效模式及失效机理提供参考和依据。
崔晓英黄云恩云飞
关键词：砷化镓器件单片微波集成电路
SiC半导体材料和工艺的发展状况被引量：11
2007年
碳化硅(SiC)是一种宽禁带半导体材料,适用于制作高压、高功率和高温器件,并可以工作在直流到微波频率范围。阐述了SiC材料的性质,详细介绍了SiC器件工艺(掺杂、刻蚀、氧化及金属半导体接触)的最新进展,并指出了存在的问题及发展趋势。
崔晓英
关键词：碳化硅器件半导体材料
硅脉冲微波功率器件增益退化机理研究被引量：2
2007年
介绍了硅双极型微波功率晶体管的发展历史和应用现状。针对硅脉冲微波功率器件增益退化的失效模式,通过对硅脉冲微波功率器件直流参数的统计分析,初步得出了其失效机理。
廖超来萍李斌崔晓英
关键词：微波功率晶体管功率增益
全选 清除 导出
共2页<12>
聚类工具0