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胡曦文

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：天津理工大学更多>>
相关领域：自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 3篇存储器
  • 2篇叠层
  • 2篇叠层结构
  • 2篇氧化钒
  • 2篇氧化钒薄膜
  • 2篇氧化铝
  • 2篇射频溅射
  • 2篇溅射
  • 2篇层结构
  • 1篇电学性能
  • 1篇钛

机构

  • 3篇天津理工大学

作者

  • 3篇胡曦文
  • 2篇王芳
  • 2篇孙阔
  • 2篇张楷亮
  • 2篇孙文翔
  • 2篇赵金石
  • 2篇陆涛
  • 2篇王雨晨
  • 2篇王宝林

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2015
  • 1篇2013
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
钛基阻变存储器的阻变特性及其机理探究
现代信息技术遵循摩尔定律日新月异的高速发展中，对高密度、低功耗、高存取速度的追求使传统的FLASH存储器尺寸已逐渐接近其能缩小的物理极限，新一代非挥发性存储器中相变存储器（PRAM）、阻变存储器（RRAM）、铁电存储器（...
胡曦文
关键词：电学性能
基于氧化钒/氧化铝叠层结构的阻变存储器及其制备方法
一种基于氧化钒/氧化铝叠层结构的阻变存储器由下电极、阻变层和上电极组成并构成叠层结构，其中阻变层为氧化钒薄膜和氧化铝薄膜叠层结构，各层的厚度分别为：下电极50-200nm、氧化钒薄膜5-100nm、氧化铝薄膜1-50nm...
张楷亮孙阔王芳陆涛孙文翔王宝林赵金石胡曦文王雨晨
文献传递
基于氧化钒/氧化铝叠层结构的阻变存储器及其制备方法
一种基于氧化钒/氧化铝叠层结构的阻变存储器由下电极、阻变层和上电极组成并构成叠层结构，其中阻变层为氧化钒薄膜和氧化铝薄膜叠层结构，各层的厚度分别为：下电极50-200nm、氧化钒薄膜5-100nm、氧化铝薄膜1-50nm...
张楷亮孙阔王芳陆涛孙文翔王宝林赵金石胡曦文王雨晨
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