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瑞之万

作品数:4 被引量:0H指数:0
供职机构:中国科学院物理研究所更多>>
相关领域:文化科学更多>>

文献类型

  • 4篇中文专利

领域

  • 2篇文化科学

主题

  • 4篇电场传感器
  • 4篇多层膜
  • 4篇随机存储器
  • 4篇纳米
  • 4篇纳米多层膜
  • 4篇开关型
  • 4篇合金
  • 4篇感器
  • 4篇场效应
  • 4篇场效应管
  • 4篇传感
  • 4篇传感器
  • 4篇磁性合金
  • 4篇存储器

机构

  • 4篇中国科学院

作者

  • 4篇瑞之万
  • 4篇刘厚方
  • 4篇韩秀峰

年份

  • 2篇2014
  • 2篇2012
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
纳米多层膜、场效应管、传感器、随机存储器及制备方法
一种电场调控型纳米多层膜、电场调制型场效应管、开关型电场传感器及电场驱动型随机存储器及制备方法,以用来获得室温下电场调制多层薄膜中的电致电阻效应。该纳米多层膜由下至上依次包括底层1、基片、底层2、功能层、缓冲层、绝缘层、...
韩秀峰刘厚方瑞之万
文献传递
纳米多层膜、场效应管、传感器、随机存储器及制备方法
一种电场调控型纳米多层膜、电场调制型场效应管、开关型电场传感器及电场驱动型随机存储器及制备方法,以用来获得室温下电场调制多层薄膜中的电致电阻效应。该纳米多层膜由下至上依次包括底层1、基片、底层2、功能层、缓冲层、绝缘层、...
韩秀峰刘厚方瑞之万
文献传递
纳米多层膜、场效应管、传感器、随机存储器及制备方法
一种电场调控型纳米多层膜、电场调制型场效应管、开关型电场传感器及电场驱动型随机存储器及制备方法,以用来获得室温下电场调制多层薄膜中的电致电阻效应。该纳米多层膜由下至上依次包括底层1、基片、底层2、功能层、缓冲层、绝缘层、...
韩秀峰刘厚方瑞之万
纳米多层膜、场效应管、传感器、随机存储器及制备方法
一种电场调控型纳米多层膜、电场调制型场效应管、开关型电场传感器及电场驱动型随机存储器及制备方法,以用来获得室温下电场调制多层薄膜中的电致电阻效应。该纳米多层膜由下至上依次包括底层1、基片、底层2、功能层、缓冲层、绝缘层、...
韩秀峰刘厚方瑞之万
共1页<1>
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