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庄志强

作品数:108 被引量:446H指数:11
供职机构:华南理工大学更多>>
发文基金:广东省自然科学基金中国人民解放军总装备部预研基金中国博士后科学基金更多>>
相关领域:化学工程一般工业技术电气工程电子电信更多>>

文献类型

  • 90篇期刊文章
  • 14篇会议论文
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领域

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  • 30篇一般工业技术
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  • 1篇机械工程
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主题

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  • 8篇凝胶法制备
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  • 7篇电容器
  • 7篇压电陶瓷
  • 7篇压电效应
  • 7篇钛酸铅
  • 7篇PMN-PT
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机构

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作者

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传媒

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  • 1篇化工新型材料
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  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇2011
  • 3篇2010
  • 7篇2009
  • 11篇2008
  • 19篇2007
  • 4篇2006
  • 14篇2005
  • 5篇2004
  • 8篇2003
  • 6篇2002
  • 7篇2001
  • 5篇2000
  • 3篇1999
  • 1篇1997
  • 1篇1995
  • 4篇1993
  • 1篇1992
  • 5篇1991
  • 1篇1990
  • 2篇1989
108 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
聚丙烯酸对BaTiO_3颗粒的分散及其机理研究
2008年
通过沉降实验及FT-IR分析,研究了分散剂PAA对BaTiO3颗粒的分散机理。结果表明:PAA电离的RCOO-吸附在BaTiO3颗粒表面形成的Ba-OH+2正电中心,产生静电稳定作用和空间位阻作用,从而使BaTiO3颗粒分散。当PAA加入量为0.3wt%,pH=10时,PAA完全电离,吸附达饱和,可以得到高分散、高稳定的浆料。
罗遂斌庄志强刘勇林宙峰
关键词:聚丙烯酸BATIO3
Ba_(1-x)K_xPbO_3系导电陶瓷的电性能研究被引量:5
2005年
采用Ba(OH)2·8H2O, Pb(CH3COO)2·3H2O和KOH为原料, 柠檬酸和乙二胺四乙酸(EDTA)为复合螯合剂, 采用溶胶凝胶工艺制备了K掺杂BaPbO3(BPO)陶瓷, 讨论了不同的K受主掺杂浓度对BPO导电陶瓷的电导率和阻温特性的影响.实验结果表明: 采用Sol-Gel法获得了均一相、化学计量比的K掺杂BPO陶瓷;K-BPO陶瓷的室温电阻率随K掺杂量呈倒'S'形状变化, 当掺杂量为3%~5%(摩尔分数)时室温电阻率最低, 约为4.5×10-4 Ω·cm;另外, 与BaTiO3系PTC陶瓷不同, PBO陶瓷引入受主杂质K后, 不但可以降低材料的室温电阻率, 而且可以使材料呈现出一定的PTC效应.
陆裕东王歆庄志强
关键词:BAPBO3导电陶瓷阻温特性
倒装芯片上金属布线/凸点互连结构中原子的定向扩散被引量:2
2010年
采用倒装芯片互连凸点串联回路研究了高温、高电流密度条件下倒装芯片上金属布线/凸点互连结构中原子的定向扩散现象,分析了互连结构中受电应力和化学势梯度作用的各相金属原子的扩散行为.在电迁移主导作用下,Ni(V)镀层中的Ni原子的快速扩散导致原本较为稳定的Ni(V)扩散阻挡层发生快速的界面反应,造成Al互连金属与焊料的直接接触.Al原子在电子风力作用下沿电子流方向向下迁移造成窗口附近焊料中Al原子含量逐步上升,同时,空位的反向迁移、聚集形成过饱和,导致Al互连中形成大面积空洞.焊料中的Sn,Pb原子在化学势梯度和压应力作用下形成向上的原子通量,原子扩散方向与浓度梯度方向一致,使Al互连中形成空洞的同时,出现凸点焊料对Al互连的侵蚀现象.整个电迁移过程中,Al原子和Sn,Pb原子在各自的主导作用力的驱动下,发生着持续的互扩散,直至互连结构最终因质量通量的差异而发生开路失效.
陆裕东何小琦恩云飞王歆庄志强
关键词:倒装芯片凸点电迁移扩散
锆钛酸锅多晶体的压电各向异性的研究
庄志强薛英杰郑洁晖
关键词:压电效应多晶压电晶体各向异性导纳锆钛酸铅瓷
钛酸钡基厚薄膜PTCR的研究被引量:1
2005年
介绍了钛酸钡基厚、薄膜PTCR的制备方法与研究进展。射频磁控溅射和溶胶-凝胶成膜技术是制备陶瓷PTCR薄膜的较理想的方法。陶瓷PTCR厚膜技术由于具有成本低和较好的市场前景受到人们的高度重视。目前钛酸钡基PTCR厚、薄膜技术的研究已经取得了较大的进步和发展。PTCR膜材正向着低室温电阻、高升阻比和集成化的方向发展。
苏滔珑庄志强
关键词:钛酸钡厚膜
改性PLZT陶瓷偏压压电效应的研究被引量:1
2000年
本文讨论了铌和钡改性的PLZT 10 /6 5/35铁电陶瓷的横向场诱应变X2 ,不同温度及偏压下的介电常数K33,平面机电耦合系数kp 和弹性柔顺系数SE1 1 ,并计算了等效压电常数d31 。铌和钡改性的PLZT铁电陶瓷在 15kV/cm的电场下横向应变分别为 - 5.1× 10 - 4 和 - 4 .5× 10 - 4 。实验表明它们的kp和d31 值可由直流偏压控制 ,室温下kp 的饱和值分别为 0 .53和0 .52 ,|d31 |的最大值分别为 2 30pC/N和 2 2 5pC/N ,且压电常数的温度系数都比PMN -PT系陶瓷小得多。
伍建新庄志强
关键词:偏压压电效应锆钛酸铅镧铁电陶瓷
全文增补中
复合钙钛矿结构PMN和PZN基多晶体的合成及其DPT特性
庄志强王蕴辉
关键词:钙钛矿型铁电陶瓷相结构固溶体电负性
陶瓷成型新方法及其应用的研究被引量:12
2004年
介绍和讨论了作为一种借助酶催化化学反应实现原位凝固的崭新近净尺寸陶瓷成型概念的直接凝固注浆成型方法与技术 ,以及通过与陶瓷粉料混合形成浓悬浮胶体的有机单体在加入偶联剂、催化剂和引发剂后的聚合反应促成原位聚合凝固的注疑成型方法与技术。利用这两种成型技术可以获得均匀、无密度梯度的近净尺寸坯体和致密陶瓷制品。这里也简单介绍和讨论了喷墨打印成型技术。它是一种利用计算机控制实现多层打印、逐层叠加制出三维陶瓷坯体的计算机辅助制造 (CAM)陶瓷的成型新技术。
庄志强王剑刘勇
关键词:酶催化计算机辅助制造坯体陶瓷注凝成型
超细银包覆BaTiO_3粉体的制备被引量:12
2005年
讨论了金属-陶瓷复合材料超细银包覆BaTiO3粉体的制备条件,采用扫描电镜,激光粒度分布仪,比表面积分析仪及X射线荧光光谱仪表征了复合粉末颗粒的形貌和粉体的团聚状态.讨论了银在钛酸钡粉末表面的包覆形式.采用化学镀的方法在BaTiO3表面沉积金属银.在天然高分子表面活性剂的保护下,Ag(NH3)2+被水合肼还原得到分散性良好的不同含银量的复合粉体.最佳的反应条件是:银含量0.1%~0.5%,Sodium Alginate/Ag(质量比)20%,粉末中Ag含量小于80%,反应时间120 min,水合肼浓度0.8%.实验表明所得颗粒是银包覆在BaTiO3表面的形成一定银层厚度的复合体系.
吴松平孟淑媛庄志强刘会冲
关键词:金属-陶瓷包覆超细粉体
钇掺杂工艺对Y-BT陶瓷性能的影响被引量:5
2009年
采用非均匀形核表面包覆法和化学混合法分别制备了钇掺杂纳米晶钛酸钡(Y-BT)粉体.通过差示扫描量热分析、热重分析、电感耦合等离子体发射光谱分析及扫描电镜分析等方法,对制得的粉体及其陶瓷样品进行表征;同时讨论了Y掺杂量对不同方法制备的Y-BT陶瓷室温电阻率的影响.结果表明:相比于化学混合法,非均匀形核表面包覆法制备的Y-BT样品中Y组分分布和晶粒大小更均匀,化学计量比更准确;非均匀形核表面包覆法制得的Y-BT陶瓷在Y掺杂量为0.1%时即可实现半导化,能在较低的温度下达到更低的最小室温电阻率.
刘勇庄志强王歆
关键词:钛酸钡表面包覆电阻率
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