亓东锋
- 作品数：10 被引量：1H指数：1
- 供职机构：厦门大学更多>>
- 发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 基于SiGe量子点模板刻蚀技术制备锗硅纳米柱的方法
- 基于SiGe量子点模板刻蚀技术制备锗硅纳米柱的方法，涉及一种SiGe纳米结构。提供一种大面积、纵向方向可控的、侧壁陡直度高的基于SiGe量子点模板刻蚀技术制备锗硅纳米柱的方法。1）将硅片清洗后，在UHV/CVD系统中，在...
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- 退火对SiGe弛豫衬底热稳定性的影响
- 本文采用低温Ge缓冲层技术制备出SiGe虚衬底结构，研究常规退火对其热稳定性的影响。当退火温度小于800℃时，退火对虚衬底的弛豫度影响较大，而对SiGe合金层的组分调制作用较小。当退火温度大于800℃，底层的低温锗(LT...
- 亓东锋刘翰辉陈松岩李成赖虹凯黄巍李俊
- 关键词：退火稳定性
- 非平面金属纳米晶多位存储器件的制备方法
- 非平面金属纳米晶多位存储器件的制备方法，涉及一种金属纳米晶存储器。1）通过电子束光刻方法在Si衬底上刻蚀出凹槽阵列，形成非平面台阶状的结构；2）将刻蚀后的Si衬底经过标准清洗后，采用干法氧化方法，在非平面的Si衬底上氧化...
- 陈松岩亓东锋刘翰辉李成
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- Ge薄膜键合制备绝缘层上锗的方法
- Ge薄膜键合制备绝缘层上锗的方法，涉及绝缘层上锗。对Ge片进行离子注入，形成缺陷平面；用光固化胶将PDMS与处理后的Ge片绑定；在处理后的柔性支撑衬底上施加平行于剥离平面的剪切力，将表面Ge薄膜沿着缺陷平面与体Ge基底“...
- 陈松岩刘翰辉亓东锋李成
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- 非平面金属纳米晶多位存储器件的制备方法
- 非平面金属纳米晶多位存储器件的制备方法，涉及一种金属纳米晶存储器。1）通过电子束光刻方法在Si衬底上刻蚀出凹槽阵列，形成非平面台阶状的结构；2）将刻蚀后的Si衬底经过标准清洗后，采用干法氧化方法，在非平面的Si衬底上氧化...
- 陈松岩亓东锋刘翰辉李成
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- Ge薄膜键合制备绝缘层上锗的方法
- Ge薄膜键合制备绝缘层上锗的方法，涉及绝缘层上锗。对Ge片进行离子注入，形成缺陷平面；用光固化胶将PDMS与处理后的Ge片绑定；在处理后的柔性支撑衬底上施加平行于剥离平面的剪切力，将表面Ge薄膜沿着缺陷平面与体Ge基底“...
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- 台阶状氧化层Au/SiO<Sub>2</Sub>/Si纳米柱存储器件的制备方法
- 台阶状氧化层Au/SiO<Sub>2</Sub>/Si纳米柱存储器件的制备方法，涉及半导体存储器。通过电子束光刻方法在Si衬底上刻蚀出凹槽阵列，形成非平面台阶状结构；将刻蚀后的Si片标准清洗后，采用干法氧化方法，在凹槽阵...
- 陈松岩亓东锋刘翰辉李成
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- 纳秒脉冲激光与薄膜相互作用瞬态过程分析及表面功能结构制备
- 新型材料和新结构的开发和利用一直是微电子和光电子领域的研究热点，而与传统材料加工技术相比，纳秒脉冲激光技术在材料功能性结构制备领域具有得天独厚的优势:首先是非接触加工，材料兼容性强;其次是适合微小尺寸加工，通过控制激光光...
- 亓东锋
- 关键词：半导体材料硅基薄膜形貌调控
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- 图形化Si基Ge薄膜热应变的有限元分析被引量：1
- 2014年
- 利用有限元方法模拟了图形化Si衬底上外延Ge薄膜的热失配应变,研究了薄膜内部以及表面的应变分布情况,分析了应变与薄膜厚度、衬底尺寸的变化关系.结果表明,热失配应变在异质结构的界面处最大,沿外延层生长方向递减;在薄膜表面,中心区域应变最大,由中心到边缘逐渐减小,边缘发生突变,急剧减小;不同的膜厚下,薄膜表面应变分布规律相同,并且薄膜越厚,应变越小;图形衬底单元的尺寸对薄膜应变有较大的影响,当衬底厚度在6μm以内,宽度在10μm以内时,更有利于薄膜应变的释放.
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- 关键词：SI有限元法
- 台阶状氧化层Au/SiO<Sub>2</Sub>/Si纳米柱存储器件的制备方法
- 台阶状氧化层Au/SiO<Sub>2</Sub>/Si纳米柱存储器件的制备方法，涉及半导体存储器。通过电子束光刻方法在Si衬底上刻蚀出凹槽阵列，形成非平面台阶状结构；将刻蚀后的Si片标准清洗后，采用干法氧化方法，在凹槽阵...
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