彭龙新
- 作品数：51 被引量：103H指数：6
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- 基于双栅长GaN集成工艺的Ku波段收发芯片被引量：1
- 2022年
- 研制了一款Ku波段GaN收发多功能芯片。芯片集成了接收通道的低噪声放大器和发射通道的功率放大器,使用单刀双掷开关实现通道间切换。该芯片采用两种不同栅长集成的GaN HEMT工艺。低噪声放大器使用0.10μm低压低噪声工艺,功率放大器和开关使用0.15μm高压高功率工艺。低噪声放大器采用电流复用结构以降低功耗,功率放大器采用三级电抗式匹配网络以提高芯片输出功率。测试结果表明,在14~18 GHz频带内,发射通道线性增益≥30 dB,饱和输出功率≥40.5 dBm,功率附加效率典型值为23%;接收通道线性增益为24 dB(±0.2 dB),噪声系数典型值为2.3 dB,功耗仅为140 mW(5 V/28 mA)。芯片面积为4.0 mm×3.0 mm。
- 孔令峥彭龙新陶洪琪陶洪琪闫俊达王维波韩方彬
- 关键词：多功能芯片氮化镓单片微波集成电路收发KU波段
- 毫米波大动态宽带单片低噪声放大器被引量：2
- 2009年
- 利用0.25μmGaAsPHEMT低噪声工艺,设计并制造了2种毫米波大动态宽带单片低噪声放大器。第1种为低增益大动态低噪声放大器,单电源+5V工作,测得在26～40GHz范围内,增益G=10±0.5dB,噪声系数NF≤2.2dB,1分贝压缩点输出功率P1dB≥15dBm;第2种为低压大动态低噪声放大器,工作电压为3.6V,静态电流0.6A(输出功率饱和时,动态直流电流约为0.9A),在28～35GHz范围内,测得增益G=14～17dB,噪声系数约4.0dB,1分贝压缩点输出功率P1dB≥24.5dBm,最大饱和输出功率≥26.8dBm,附加效率约10%～13.6%。结果中还给出了2种放大器直接级联的情况。
- 彭龙新
- 关键词：毫米波宽带单片集成电路
- X波段100W GaAs单片大功率PIN限幅器被引量：8
- 2017年
- 在101.6mm(4英寸)外延片上,研制出了大功率PIN限幅器芯片。根据大功率要求,优化了GaAs PIN二极管的I层厚度和表面结构,建立了大、小信号模型,通过优化设计,使限幅器既能承受100 W的输入功率,又有较低的插损。在8.5~10.5GHz内,测得该限幅器插入损耗约0.65dB,输入输出驻波≤1.5;当限幅器输入脉冲功率(9.5GHz,脉宽8ms、占空比40%)达50dBm(100 W)时,保持壳温120℃,输出漏功率最大18dBm,持续时间20min后,未见损坏。
- 彭龙新李真徐波凌志健李光超彭劲松
- 关键词：微波单片集成电路GAASPIN
- X波段GaN单片电路低噪声放大器被引量：3
- 2011年
- 采用0.25μm GaN HEMT制备工艺在AlGaN/GaN异质结材料上研制了高性能X波段GaN单片电路低噪声放大器。GaN低噪声单片电路采取两级微带线结构,10 V偏压下芯片在X波段范围内获得了低于2.2 dB的噪声系数,增益达到18 dB以上,耐受功率达到了27 dBm。在耐受功率测试中发现GaN低噪声HEMT器件存在一定的恢复效应,并进行了相应讨论。
- 周建军彭龙新孔岑李忠辉陈堂胜焦刚李建平
- 关键词：低噪声放大器微波单片集成电路
- 基于键合转移的超大功率限幅器MMIC及制备方法
- 本发明公开了一种基于键合转移的超大功率限幅器MMIC及制备方法，制备方法包括：在Si晶圆片正面刻蚀出PIN台面结构和上电极；在Si圆片正面旋涂粘附剂；将Si晶圆片与临时载片正面相对键合；将Si圆片衬底减薄；在Si晶圆片背...
- 戴家赟彭龙新吴立枢郭怀新陈堂胜
- 文献传递
- 垂直异质集成PIN超大功率限幅器MMIC技术
- 2021年
- 南京电子器件研究所首次提出了PIN异质集成纵向结构超大高功率限幅器构想,引入现有MMIC限幅器不具有的纵向导电结构和SiC衬底的高导热特性,把Si薄层二极管转移到SiC衬底上,极大地提高了MMIC限幅器的耐功率。根据大功率要求,确定了材料结构N^(+)、P^(+)和I层等参数,设计了工艺方案和加工方法,基于自停止减薄技术实现超薄Si基PIN管芯转移,使用Au-Au热压键合的晶圆级低温异质键合互连技术,制成了超大功率限幅器。
- 彭龙新戴家赟王钊贾晨阳杨进
- 关键词：热压键合限幅器PIN管超大功率
- 微波宽带单片低噪声放大器
- 本文研究了并联反馈放大器的噪声参数(Rn，NFmin和Yopt)表达式和S参数表达式，并运用到低噪声放大器的设计中，对宽带低噪声放大器进行了详细的理论分析，图示了主要元件对放大器性能的影响，为一次设计成功奠定了理论基础。...
- 彭龙新
- 关键词：卫星通信微波宽带低噪声放大器
- 文献传递
- 毫米波高性能收发多功能芯片被引量：3
- 2015年
- 利用0.15μm GaAs PHEMT工艺,研制了一款集成功率放大器和低噪声放大器的毫米波多功能单片。发射支路功率放大器采用三级放大拓扑结构,在32~36GHz内,在6V工作电压下,线性增益23dB,增益平坦度优于±0.75dB,输入/输出驻波小于1.3,饱和输出功率30dBm,功率附加效率约30%。接收支路低噪声放大器采用三级放大拓扑结构,在5V、30mA工作电压下,在32~37GHz内,线性增益23.5dB,增益平坦度优于±1dB,噪声系数小于2.5dB,1dB压缩输出功率大于6dBm。该芯片面积为3.67mm×3.13mm。
- 彭龙新詹月李光超傅少雷
- 关键词：砷化镓低噪声放大器毫米波微波单片集成电路
- 砷化镓微波单片电路技术在五十五所
- 本文简要地介绍了中国电子科技集团公司第五十五研究所在砷化镓微波单片集成电路研究与开发方面的进展与突破.采用砷化镓0.5微米MESFET、HFET、PHEMT技术研制成功各类宽带及窄带单片电路,金属陶瓷及塑料封装的多种产品...
- 杨乃彬李拂晓张斌陈堂胜蒋幼泉沈亚高建峰彭龙新
- 关键词：砷化镓单片电路微波单片集成电路
- 文献传递
- SiN钝化层对GaAs pHEMT低噪声放大器芯片耐氢效应能力的影响被引量：1
- 2018年
- 对两种不同钝化层状态的LNA芯片在不同氢气浓度下进行150℃、105h加速寿命试验。漏极电流监控曲线表明,加厚SiN钝化层器件在20%氢气浓度试验后仅下降约0.8%,试验前后电性能基本不变。通过加厚SiN钝化层有效提升了GaAs pHEMT低噪声放大器芯片在氢气氛围中的可靠工作寿命,这对于该类器件在组件中的实际应用具有重要意义。
- 贾东铭张磊彭龙新林罡林罡
- 关键词：砷化镓加速寿命试验
