朱磊
- 作品数：5 被引量：55H指数：3
- 供职机构：西安电子科技大学微电子学院微电子研究所更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划教育部跨世纪优秀人才培养计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 一种基于前馈补偿技术的高性能CMOS运算放大器被引量：7
- 2004年
- 基于传统CMOS折叠共源共栅运算放大器的分析和总结,应用前馈补偿技术,实现了一种高性能CMOS折叠共源共栅运算放大器,不仅保证了高开环增益,而且还大大减小了运放的输入失调电压。设计采用TSMC 0.35μm混合信号CMOS工艺实现,采用Hspice进行仿真,仿真结果表明运放的直流开环增益为95 dB,输入失调电压为0.023 mV,负载电容为2pF时的相位裕度为45.5°。
- 付永朝杨银堂朱樟明朱磊
- 关键词：前馈补偿CMOS运算放大器折叠共源共栅
- 折叠内插式模/数转换器误差补偿技术研究被引量：1
- 2004年
- 分析了高速折叠内插式ADC结构和各种影响ADC性能的因素,基于自动调零技术原理,在前置放大器与折叠放大器之间引入差分对,实现放大器失调电压的补偿。基于补偿技术,实现了8位补偿的折叠内插式ADC,采用Star-Sim对8位补偿ADC进行仿真,仿真结果与典型的8位ADC进行比较,证明了自动调零补偿技术能明显改善折叠内插式ADC的线性误差,也可适合应用于其它高速ADC的误差补偿。
- 朱樟明杨银堂罗宏伟刘帘曦朱磊
- 关键词：折叠内插模数转换器
- 低压CMOS带隙电压基准源设计被引量：12
- 2005年
- 在对传统典型CMOS带隙电压基准源电路分析和总结的基础上,综合一级温度补偿、电流反馈技术,提出了一种1-ppm/°C低压CMOS带隙电压基准源。采用差分放大器作为基准源的负反馈运放,简化了电路设计。放大器输出用作电路中PMOS电流源偏置,提高了电源抑制比(PSRR)。整个电路采用TSMC0.35μmCMOS工艺实现,采用HSPICE进行仿真,仿真结果证明了基准源具有低温度系数和高电源抑制比。
- 朱磊杨银堂朱樟明付永朝
- 关键词：互补金属氧化物半导体工艺带隙电压基准源低压温度系数电源抑制比
- 4H-SiC MESFET的特性研究
- 2002年
- 对4H-SiC MESFET的特性研究发现,在室温下4H-SiC MESFET饱和漏电流的值为0.75A/mm,随着温度的上升,器件的饱和漏电流和跨导一直下降;栅长越短,沟道层掺杂浓度越高,饱和漏电流就越大。300K时器件的击穿电压为209V,计算出来的最大功率密度可达19.22W/mm。这些结果显示了4H-SiC在高温、高压、大功率器件应用中的优势。
- 徐昌发杨银堂朱磊
- 关键词：MESFET碳化硅场效应器件
- 一种高性能CMOS带隙电压基准源设计被引量：37
- 2004年
- 采用一级温度补偿和电阻二次分压技术设计了一种高性能 CMOS带隙电压基准源电路 ,其输出电压为 0 .2 0～ 1.2 5 V,温度系数为 2 .5× 10 - 5/ K.该带隙电压基准源电路中的深度负反馈运算放大器为低失调、高增益的折叠型共源共栅运算放大器 .采用 Hspice进行了运算放大器和带隙电压基准源的电路仿真 ,用 TSMC0 .35 μm CMOS工艺实现的带隙基准源的版图面积为 6 4 5 μm× 196 μm.
- 朱樟明杨银堂刘帘曦朱磊
- 关键词：CMOS带隙电压基准源温度补偿
