沈定中
- 作品数：77 被引量：106H指数：6
- 供职机构：中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海市教育委员会重点学科基金高等学校优秀青年教师教学科研奖励计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信核科学技术机械工程更多>>
- 非真空气氛下生长的CsI(Tl)晶体中Tl^+分布及其对晶体性能的影响被引量：1
- 1997年
- 非真空气氛下生长的ＣｓＩ（Ｔｌ）晶体中Ｔｌ＋分布及其对晶体性能的影响刘光煜沈定中倪海洪樊加荣（中国科学院上海硅酸盐研究所，上海２０１８００）ＤｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎｏｆＴｌ＋ｉｎＣｓＩ（Ｔｌ）ＣｒｙｓｔａｌｓＧｒｏｗｉｎｇｕｎｄｅｒＵｎｖａｃｕｕｍＡ...
- 刘光煜沈定中倪海洪樊加荣
- 关键词：闪烁晶体铊晶体生长
- 强Cherenkov效应氟化铅(PbF<,2>)晶体的生长新技术
- 沈定中殷之文任定浩邓群李培俊徐宏祥
- 该项目属于人工晶体材料和单晶生长技术领域。立方相纯氟化铅(PbF<,2>)晶体是一种性能优良的Cherenkov辐射体。国际上自60年代就开始了对纯PbF<,2>晶体的研究，但因晶体生长困难，特别是晶体中含有氧杂质而着色...
- 关键词：
- 关键词：晶体生长单晶生长
- 高抗辐照氟化钡BαF2闪烁晶体的生长技术
- 1995年
- 沈定中
- 关键词：抗辐照氟化钡晶体生长
- 钨酸铅（PbWO4）闪烁晶体在一些掺杂剂作用下的异常发光
- 钨酸铅（PbWO,简写为PWO）化合物的发光现象最初发现于1948年,但由于它在室温下的光输出较低而没有引起人们的足够重视。1990年,Derenzo等发现PWO具有快速闪烁的特性,尽管当时报道的光输出仅为锗酸铋（BGO...
- 任国浩王绍华毛日华沈定中殷之文
- 关键词：钨酸铅发光掺杂
- 文献传递
- Sb_2O_3掺杂对提高PbWO_4晶体光学及闪烁性能的作用被引量：7
- 2000年
- 采用改进的布里奇曼 (Bridgman)法生长了掺杂Sb2 O3的PbWO4 晶体。基于透射光谱、紫外激发及其发射谱、X射线激发的发射谱、光输出和辐照损伤等方面的测试 ,讨论了Sb2 O3掺杂对提高PbWO4 晶体光学及闪烁性能的作用。
- 王绍华沈定中任国浩倪海洪蔡晓琳殷之文
- 关键词：掺杂钨酸铅晶体SB2O3
- 氟化钡晶体光学透射的伽马辐照诱导损伤效应被引量：2
- 1992年
- 用脱氧剂非真空环境下 Stockbager 方法生长未掺和掺 La 的 BaF_2晶体.测量块状晶体光学透射的^(60)Co 的10~6radγ辐照损伤效应,提供辐照过程中色心形成和辐照后短期恢复信息,经退火和乙醇抛光后晶体透射已完全恢复到未辐照前的值.
- 沈定中刘建成苏伟堂潘志雷王效仙袁湘龙殷之文
- 关键词：氟化钡
- 氟化铅晶体中300nm光吸收带的起因被引量：1
- 1999年
- 在 Ｐｂ Ｆ２ 晶体的透射光谱中常存在一个３００ｎｍ 光吸收带，其特征是吸收强度从结晶开始端向结晶结束端递减。利用原子吸收光谱分析（ Ａ Ａ Ｓ） ，发现具有３００ｎｍ 光吸收带的晶体含有比较多的杂质离子 Ｃａ 和 Ｂａ ，但根据掺杂实验及其它氟化物晶体中存在的类似吸收现象，排除了 Ｃａ 和 Ｂａ 是造成这一吸收现象的原因，而是认为 Ｃｅ３ ＋ 离子杂质的４ｆ→５ ｄ 跃迁是造成该吸收带的原因。氟化铅晶体中的微量 Ｃｅ３ ＋ 离子杂质来源于生产 Ｈ Ｆ 时所使用的天然矿物 Ｃａ Ｆ２ 。通过对 Ｈ Ｆ 这一制备 Ｐｂ Ｆ２ 原料的高度提纯可以有效地消除晶体中的３００ｎｍ 吸收带。
- 任国浩沈定中王绍华刘光煜殷之文
- 关键词：吸收带氟化铅晶体透射光谱铈离子跃迁
- 下降法生长PWO晶体中光散射中心的观察与分析被引量：3
- 1999年
- 本文根据光学显微镜、扫描电镜、电子探针微区成分分析和晶体退火过程的实时观察，将存在于 Ｐｂ Ｗ Ｏ４ 晶体中的光散射中心分为３ 种类型：气态包裹物、固态包裹物和微空洞。根据电子探针微区成分分析和 Ｘ Ｒ Ｄ 物相测定，认为固态包裹物的组成为 Ｗ Ｏ３ ， Ｐｂ２ Ｗ Ｏ５ 和杂质聚集形成的低共熔点化合物。 Ｗ Ｏ３ 颗粒是原料中局部 Ｗ Ｏ３ 未充分固相反应的残留物； Ｐｂ２ Ｗ Ｏ５ 是 Ｗ Ｏ３ 和局部过量的 Ｐｂ Ｏ 反应形成的。微空洞是晶体中空位聚集在一起形成的二次缺陷，晶体中的光散射朦芯主要由微空洞构成。通过对光散射中心的成因分析，提出了消除此类宏观缺陷的工艺措施。
- 王绍华沈定中任国浩蔡晓林殷之文
- 关键词：PBWO4晶体下降法晶体生长
- PbF_2晶体失透问题的研究被引量：1
- 2002年
- 对ＰｂＦ２晶体在生长过程中的失透以及晶体在加工和储运过程中发生的失透现象进行了研究,认为晶体在生长过程中的失透是由于晶体生长时氧进入ＰｂＦ２晶格中由八个氟原子所构成的六面体的中心位置,而晶体在加工和储运过程中的失透则是由于接触了水造成晶体表面部分ＰｂＦ２由立方相转变为斜方相小晶粒所致．
- 李泽逵任国浩沈定中陈晓峰殷之文
- 关键词：相变晶体生长
- 纯CsI晶体发光特性被引量：4
- 1997年
- 测量了用Stockbager方法生长的纯CsI晶体的光学透射、X射线激发的发射谱、能谱特性和衰减时间特性．该晶体有二个闪烁分量，峰值位于310nm的发光分量是快分量（＜40ns），450um处的发光分量是慢分量（～2．4μs）．慢分量的发光强度不稳定，并受晶体中缺陷I-空位的影响较大．文中还给出快、慢发光强度比值91．8％．
- 沈定中邓群袁湘龙张黎星殷之文
- 关键词：晶体缺陷发光性
