公共文化服务平台

陆国权: 作品数：91 被引量：73H指数：6; 供职机构：弗吉尼亚理工大学更多>>; 发文基金：国家自然科学基金天津市自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>; 相关领域：电子电信一般工业技术自动化与计算机技术电气工程更多>>

合作作者

采用纳米银焊膏烧结互连技术的中高压IGBT模块及其性能表征被引量：13: 2017年; 智能电网用压接式绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块主要通过压力接触来实现热耗散,而这种封装散热方式存在界面接触不佳、散热性能差等缺点,导致同等通流能力下芯片的结温偏高,电性能下降,甚至影响其长期可靠性。为了克服这些问题,提出了采用纳米银焊膏作为芯片连接材料替代压力接触与芯片形成电触点的方式,研发了一款针对智能电网的采用纳米银焊膏的烧结式IGBT模块;并表征了烧结式IGBT模块的整体热阻、静态电性能及芯片剪切强度,完成了与商用同等级压接式IGBT模块的性能比对。实验结果显示:烧结式IGBT模块的热阻比压接式IGBT模块下降了15.8%;2种模块的静态电性能的测试结果基本一致,进一步验证了烧结式IGBT模块的封装可行性;对于大面积IGBT芯片(尺寸为13.5 mm×13.5 mm),其连接芯片烧结银接头的剪切强度约为20 MPa,接头质量较高。以上结果说明采用纳米银焊膏封装高压IGBT模块,不仅可以显著降低压接IGBT模块的热阻,同时仍能获得良好的静态电性能。因此,由于其在高压大电流电能运输过程中较高的转换效率及功率密度,烧结式IGBT模块有望应用于智能电网。; 梅云辉冯晶晶王晓敏陆国权陆国权林仲康

一种功率型LED灯及其封装工艺和回流焊工艺设备: 本发明涉及一种功率型LED灯及其封装工艺和回流焊工艺设备。功率型LED灯是在LED芯片、热沉和散热器之间形成的是两个具有冶金连接的结合界面，为LED芯片发光过程中产生的热量建立了一个低热阻的完整金属散热通道。芯片与热沉采...; 程方杰陈旭陆国权

烧结封装MOS芯片双向开关电子模块及其制作方法: 本发明属于功率电子器件封装技术领域，为提出双向开关电子模块及其制备方法，具有良好的电气性能，更低的热阻和更优的散热特性，更高的工作频率，具有优异的抗热循环疲劳老化能力，可靠性更优。为此，本发明，烧结封装MOS芯片双向开关...; 梅云辉李靖李欣陆国权

一种提高纳米银浆与化学镀镍金基板连接强度的方法: 本发明开发了一种提高纳米银浆与化学镀镍金基板连接强度的方法。在超声清洗过的化学镍金基板上，运用丝网印刷机涂刷一层纳米银浆料，然后贴装芯片。对接头进行预热，以一定加热速度加热至预热温度，保温一段时间。预热结束后，省去中间升...; 梅云辉徐乾烨陆国权

实现多磁导率连续变化环形磁芯电感的装置及方法: 本发明公开了一种实现多磁导率连续变化环形磁芯电感的装置及方法。包括冷凝管和夹具；夹具上排列设置有矩形凹槽，矩形凹槽底面设置有与环形电感生坯同心的弧形凹槽；在夹具垂直于凹槽的两个端面设置有贯穿圆孔，圆孔圆心与弧形凹槽圆心位...; 梅云辉刘君昌陆国权李欣

一种采用超声辅助纳米银焊膏烧结制作功率模块的方法: 本发明公开了一种采用超声辅助纳米银焊膏烧结制作功率模块的方法，采用电镀银的铜基板，再将铜基板印刷纳米银焊膏及贴装芯片后，在烧结前，通过对贴装好芯片的制品在40‑100KHz频率下进行3‑5分钟的超声振动，使纳米银焊膏混合...; 徐连勇李元荆洪阳陆国权韩永典

大功率IGBT模块瞬态热阻的测试方法与装置被引量：6: 2017年; 为了表征大功率绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块的瞬态热响应行为,设计并实现了一种基于电学法的IGBT模块瞬态热阻测试装置.通过改变热阻测试装置的加热脉冲持续时间,使其等于不同材料层的热时间常数,控制热流在IGBT模块封装材料中的有效传播路径,进而获得各封装材料的瞬态热阻.此外还具体分析了高低电平转换过程中暂态噪声和边界散热条件对测试结果精度的影响规律.结果表明,该装置具有较好的精确性和重复性,这将有助于准确无损分析器件及不同封装材料在瞬态条件下的散热性能,指导IGBT模块封装结构设计和封装材料选择.; 陆国权李洁梅云辉李欣王磊; 关键词：电学法瞬态热阻误差分析 K因子

具有双面散热能力的双向开关功率器件及制作方法: 本发明涉及功率电子器件封装技术领域，为提出一种新的双面散热硅基IGBT双向开关模块，本发明，具有双面散热能力的双向开关功率器件，由两组IGBT芯片和续流二极管芯片、功率端子和信号端子、缓冲层、粗铝丝、环氧树脂塑封胶、有两...; 梅云辉曹君临陆国权李欣

一种用于银焊膏连接的表面贴装装置及方法: 本发明涉一种用于银焊膏连接的表面贴装装置及方法，包括光学调整机架及固定在机架上的视觉对中系统；所述视觉对中系统下方的底盘上设置有精密移动平台；所述精密移动平台在水平面沿X、Y轴方向上分别设置有高精度微分头；所述精密移动平...; 李欣李洁梅云辉陆国权

一种基于快速烧结纳米银焊膏无压互连技术的1200V/50A IGBT功率模块: 本发明涉及一种基于快速烧结纳米银焊膏无压互连技术的1200V/50A IGBT功率模块；底板材料为镀镍的厚铜块或AlSiC，在所述底板上反向放置两块同样电路样式的陶瓷覆铜DBC基板；基板之间通过连接桥连接；两组IGBT芯...; 梅云辉张心印李欣陆国权