胡晓君
- 作品数：16 被引量：84H指数：5
- 供职机构：上海交通大学材料科学与工程学院金属基复合材料国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国博士后科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学金属学及工艺电子电信一般工业技术更多>>
- 掺杂金刚石薄膜的缺陷研究被引量：6
- 2004年
- 利用多普勒增宽谱和电子顺磁共振研究了掺硼和掺硫金刚石薄膜的缺陷状态 .多普勒增宽谱的结果表明 ,不同杂质元素掺杂的金刚石薄膜 ,其中使正电子湮没的缺陷种类是相同的 ;正电子与不同杂质元素硼、硫之间的相互作用不明显 ;少量硼可使金刚石膜中的空位浓度减少 .EPR结果表明 。
- 胡晓君李荣斌沈荷生何贤昶邓文罗里熊
- 关键词：金刚石薄膜掺杂电子顺磁共振
- 低电阻率硼硫共掺杂金刚石薄膜的制备被引量：7
- 2004年
- 利用微波气相沉积方法制备了低电阻率的 n型硫掺杂和硼硫共掺杂金刚石薄膜 .质子激发 X射线荧光测试表明硼硫共掺杂方法能够提高硫在金刚石中的溶解度 ;扫描电镜和 Raman光谱的分析结果表明掺杂金刚石薄膜的晶粒较完整 ,薄膜中存在较多的非金刚石碳相 .Hall效应测试表明薄膜的导电类型为 n型 ,电阻率为 0 .0 2 4 6 Ω·cm,载流子浓度为 2 .4 0× 1 0 1 7cm- 3,Hall迁移率为 1 0 3cm2 / (V· s) ;较低的电阻率是薄膜中存在
- 胡晓君李荣斌沈荷生戴永兵何贤昶
- 关键词：共掺杂N型金刚石电阻率
- 低能粒子轰击(001)2×1表面重构金刚石的计算机模拟
- 2003年
- 利用Tersoff势和分子动力学方法研究了初始动能为500eV的硼原子注入金刚石的微观行为.结果表明:硼注入后产生温度为5000K的热峰,其寿命为0.18ps;同时产生了半径为0.45nm的局部非晶化区域,三重配位原子数占该区域原子数的7%.硼原子以B〈110〉分裂间隙的形式存在于金刚石结构中.
- 李荣斌戴永兵胡晓君沈荷生何贤昶
- 关键词：分子动力学金刚石离子注入
- 金刚石薄膜的n型掺杂--分子动力学模拟和实验研究
- 该文提出利用共掺杂方法(即在金刚石薄膜中掺入两种杂质元素)来制备低电阻率的n型金刚石薄膜,并从理论和实验两个方面对其进行了系统的研究.理论上,利用分子动力学的计算机模拟研究了金刚石掺杂中涉及的一些微观问题,为实验研究提供...
- 胡晓君
- 关键词：金刚石薄膜N型共掺杂电阻率分子动力学
- 文献传递
- CVD金刚石涂层丝和涂层纤维被引量：3
- 2001年
- 对近年来CVD金刚石涂层丝和涂层纤维以及金刚石涂层纤维复合材料的分类和发展状况做了较全面的介绍 ,并分析了它们的应用前景以及存在的问题。
- 何贤昶沈荷生张志明胡晓君杨小倩万永中
- 关键词：化学气相沉积金刚石薄膜涂层纤维CVD
- CVD金刚石薄膜的掺硼研究被引量：19
- 2002年
- 采用固体三氧化二硼 ,在单晶硅 (10 0 )衬底上用微波CVD法生长金刚石薄膜和进行 p型掺杂 ,对不同掺杂碳源浓度下CVD金刚石薄膜的掺杂和生长行为、薄膜表面形貌、薄膜的电性能等进行了研究 .结果表明 ,硼确实已掺入金刚石膜中 ;在SEM下观察到硼掺杂金刚石膜结构致密没有孔洞 ;用Ti和Ag分别在掺杂金刚石薄膜表面制备电极 ,测试了在不同温度下电流随温度的变化。
- 杨小倩胡晓君沈荷生张志明李荣斌何贤昶
- 关键词：CVD金刚石薄膜掺杂电学性能掺硼
- 石墨基金刚石涂层电极的制备及性能研究被引量：4
- 2003年
- 采用固体三氧化二硼,用热丝辅助化学气相沉积法在石墨衬底上沉积了掺硼金刚石涂层。用喇曼谱、扫描电镜及电导 温度关系研究了掺硼金刚石涂层的生长气压和掺硼浓度等主要工艺参数对涂层的形貌、结构及电学性能的影响和涂层的循环伏安特性。结果表明,石墨基金刚石涂层电极具有优良的电化学性能。
- 李荣斌杨小倩胡晓君沈荷生李明利赵国华何贤昶
- 关键词：石墨
- 超薄膜外延生长的Monte Carlo模拟被引量：28
- 2002年
- 用MonteCarlo (MC)方法对超薄膜外延生长过程进行了计算机模拟 .模型中引入Morse势描述粒子间的相互作用 ,考虑粒子的沉积、吸附粒子的扩散和蒸发三个过程 .研究了粒子间相互作用范围α和允许粒子行走的最大步数对薄膜生长形貌的影响 .结果表明 :在不同的α值下 ,随粒子行走步数的增加 ,薄膜的生长经历了从分散、分形、混合到团聚的过程 ;其中α=6时 ,基本观察不到粒子的分散生长过程 ;α值越小且粒子行走步数越小的情况下 。
- 叶健松胡晓君
- 关键词：超薄膜MORSE势分形MONTECARLO模拟
- 硼硫共掺杂金刚石薄膜的研究被引量：5
- 2004年
- 利用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术,以丙酮为碳源,用二甲基二硫和三氧化二硼作掺杂源,在硅衬底上制备了硼与硫共掺杂的金刚石薄膜。用俄歇谱分析金刚石薄膜中硫的含量,用傅里叶红外光谱(FTIR)分析了薄膜表面键结构,用扫描电子显微镜(SEM)观测薄膜的表面形貌,X射线衍射(XRD)和喇曼(Raman)光谱表征膜层的结构。结果表明:微量硼的加入促进硫在金刚石中的固溶度,使硫在金刚石中的掺杂率提高了近50%;随着薄膜中硫含量的增加,薄膜的导电性增加,当薄膜中硫含量达到0.15%(原子分数)时其导电激活能为0.39eV。
- 李荣斌胡晓君沈荷生何贤昶
- 关键词：金刚石薄膜硼硫掺杂MPCVD
- 金刚石/硅(001)异质界面的分子动力学模拟研究被引量：6
- 2001年
- 采用分子动力学方法模拟研究了未重构的金刚石 /硅 (0 0 1)面相接触时界面层原子的弛豫过程及所形成的异质界面的结构特征 .硅碳二元系统中原子间的相互作用采用Tersoff多体经验势描述 .弛豫前沿 [110 ]与 [110 ]方向界面碳硅原子数之比均为 3∶2 .界面碳硅原子总数之比为 9∶4.弛豫后金刚石与硅界面处晶格匹配方式改变为[110 ]方向基本上以 3∶2关系对准 ,而 [110 ]方向大致以 1∶1关系对准 .相应地 ,界面碳硅原子总数之比接近 3∶2 .界面下方部分第二层硅原子在弛豫过程中向上迁移至界面是引起这种变化的原因 ,同时该层其他原子及其底下一到两个原子层厚度的区域在 [0 0 1]方向上出现一定程度的无序化转变倾向 .金刚石 /硅异质界面处的硅碳原子发生强烈键合 ,形成平均键长为 0 189nm的硅碳键 .研究证实 ,晶格匹配主要呈现界面及其附近硅原子迎合界面碳原子排列的特点 .
- 戴永兵沈荷生张志明何贤昶胡晓君孙方宏莘海维
- 关键词：金刚石硅分子动力学
