您的位置: 专家智库 > >

高海霞

作品数:33 被引量:40H指数:4
供职机构:西安电子科技大学更多>>
发文基金:国防科技技术预先研究基金中央高校基本科研业务费专项资金陕西省自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术自然科学总论更多>>

文献类型

  • 17篇期刊文章
  • 12篇专利
  • 2篇学位论文
  • 1篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 22篇电子电信
  • 3篇自动化与计算...
  • 1篇自然科学总论

主题

  • 9篇电路
  • 6篇FPGA
  • 6篇存储器
  • 5篇电子迁移率
  • 5篇阵列
  • 5篇迁移率
  • 5篇现场可编程
  • 5篇现场可编程门...
  • 5篇门阵列
  • 5篇晶体管
  • 5篇可编程门阵列
  • 5篇高电子迁移率
  • 5篇高电子迁移率...
  • 5篇ALGAN/...
  • 4篇辐照特性
  • 4篇高速电路
  • 3篇电极
  • 3篇优化设计
  • 3篇静电放电
  • 3篇集成电路

机构

  • 33篇西安电子科技...

作者

  • 33篇高海霞
  • 18篇杨银堂
  • 7篇董刚
  • 6篇马晓华
  • 5篇曹艳荣
  • 5篇柴常春
  • 5篇杨凌
  • 4篇王冲
  • 4篇郝跃
  • 3篇李跃进
  • 3篇吴晓鹏
  • 2篇郑泉智
  • 2篇姜鹏飞
  • 2篇张萍
  • 1篇李秋菊
  • 1篇许晟瑞
  • 1篇吕玲
  • 1篇傅俊兴
  • 1篇朱作云
  • 1篇詹永玲

传媒

  • 4篇Journa...
  • 4篇西安电子科技...
  • 3篇电子器件
  • 1篇半导体技术
  • 1篇物理学报
  • 1篇微电子学与计...
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇微电子学
  • 1篇现代电子技术
  • 1篇2006年恒...

年份

  • 2篇2023
  • 1篇2022
  • 1篇2021
  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2014
  • 2篇2013
  • 2篇2011
  • 2篇2010
  • 2篇2009
  • 2篇2007
  • 3篇2006
  • 5篇2005
  • 1篇2004
  • 3篇2003
  • 3篇2002
33 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
基于SRAM技术的现场可编程门阵列器件设计技术研究
现场可编程门阵列(FPGA)诞生二十年以来,已经成为数字电路最常用的实现载体.本文旨在研究开发基于SRAM技术的FPGA结构,并根据研究获取的结构参数设计FPGA器件样品.主要研究工作和结果如下:1、通过研究商用FPGA...
高海霞
关键词:现场可编程门阵列查找表布线结构蒙特卡罗芯片
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法
本发明公开了一种AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法,它涉及到微电子技术领域,主要解决器件工作频率低和抗辐照性能差的问题。该器件按生长顺序依次包括GaN缓冲层、本征GaN层、Al<Sub>0.3</Sub>G...
马晓华曹艳荣郝跃高海霞王冲杨凌
可切换式TAM结构的快速SoC测试方法
2009年
由于现有TAM(Test Access Mechanism)结构中,被测IP(Intellectual Property)核都是固定地连接在某些TAM总线上,经常会导致测试资源浪费,故提出了可切换式TAM结构.某些IP核通过切换电路挂接在多组TAM上,可以使用多组TAM来完成对一个IP核的测试,减少了空闲时间,缩短了测试用时.按特定的排序规则,采用0-1规划先给每个IP核分配一组TAM,再采用一种启发性搜索算法,挑选合适的IP核使用多组TAM测试.对ITC2002基准电路的实验结果表明,该方法的测试用时较小.
谢元斌高海霞潘伟涛
关键词:测试访问机制测试调度
Improving Detectability of Resistive Shorts in FPGA Interconnects
2005年
The behavior of resistive short defects in FPGA interconnects is investigated through simulation and theoretical analysis.The results show that these defects result in timing failures and even Boolean faults for small defect resistance values.The best detection situations for large resistance defect happen when the path under test makes a v-to-v′ transition and another path causing short faults remains at value v.Small defects can be detected easily through static analysis.Under the best test situations,the effects of supply voltage and temperature on test results are evaluated.The results verify that lower voltage helps to improve detectability.If short material has positive temperature coefficient,low temperature is better;otherwise,high temperature is better.
高海霞董刚杨银堂
关键词:FPGADETECTIMPROVEMENT
漏极接触孔到栅间距对GGNMOS保护器件的影响
2014年
研究了不同漏极接触孔到栅间距对深亚微米单叉指栅接地N型金属氧化物半导体静电放电保护器件性能的影响,并分析了相关物理机制.基于中芯国际0.18μm互补金属氧化物半导体工艺进行流片,并进行传输线脉冲测试,得到了不同漏极接触孔到栅间距(DCGS)值的保护器件单位宽度失效电流水平的变化趋势.结合器件仿真,分析了保护器件的电、热分布情况.研究结果表明,DCGS值的增大,使电流密度峰值向远离沟道的方向移动,从而降低了尖端放电的风险.同时,当DCGS值增大到一定阈值时,由于漏区与衬底温度达到平衡,因此失效电流水平出现饱和趋势.
吴晓鹏杨银堂董刚高海霞
关键词:静电放电
直接数字频率合成器的Simulink建模与仿真
直接数字频率合成器(DDS)具有频率转换时间短,分辨率高,输出相位连续等优点,是现代频率合成的重要技术之一。本文建立了系统级DDS模型及Simulink动态仿真模型(主要运用了Simulink节点下Sources、Sub...
张萍高海霞柴常春杨银堂
关键词:直接数字频率合成器相位累加器SIMULINK仿真
文献传递
一种氮化物基的模拟型阻变存储器及其制备方法
本发明公开了一种氮化物基模拟型阻变存储器,包括:衬底层、粘附层、底电极层、阻变介质层、插层、顶电极层和保护层;其中,衬底层、粘附层、底电极层和阻变介质层由下到上依次设置;阻变介质层的宽度小于底电极层的宽度;插层设置于阻变...
高海霞白奕凡朱世龙钱梦依段毅伟
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法
本发明公开了一种AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法,它涉及到微电子技术领域,主要解决器件工作频率低和抗辐照性能差的问题。该器件按生长顺序依次包括GaN缓冲层、本征GaN层、Al<Sub>0.3</Sub>G...
马晓华曹艳荣郝跃高海霞王冲杨凌
文献传递
FPGA布线开关的电路设计被引量:3
2003年
在分析隔离岛式FPGA布线结构的基础上,设计了导通晶体管布线开关和三态缓冲布线开关。设计了级恢复电路,解决了导通晶体管开关引起的静态功耗问题。提出了基于扇入的三态缓冲开关bufm,避免了一般缓冲开关的扇出问题。最后,我们对各种布线开关的延时特性作了比较,提出了一些合理的建议。
郑泉智杨银堂高海霞
关键词:现场可编程门阵列布线开关优化设计
一种初始周期高低阻态稳定的阻变存储器及其制备方法
本发明公开了一种初始周期高低阻态稳定的阻变存储器及其制备方法,所述阻变存储器从下至上依次包括:衬底层、底电极层、阻变介质层、量子点层、顶电极层和保护层。本发明通过在阻变介质层和顶电极层之间旋涂量子点层,能够提高顶电极层对...
高海霞钱梦依段毅伟孙宇昕武书良
共4页<1234>
聚类工具0