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GaP:N绿色LEDn2层载流子浓度的优化: 近几年来,各种颜色的发光二极管（LED）已经取得了世人瞩目的成就,但由于国内现在生产的GaP外延片制成的LED的发光亮度与日本同类产品相比还有很大差距,国产LED的芯片大多还得依赖进口。为了提高国产LED的发光亮度,对影...; 赵普琴杨锡震薛洪涛; 关键词：发光亮度外延片

GaP:N绿色LEDn_2层载流子浓度的优化: 2002年; 在已报道的ｐ－ｎ２－ｎ１结的势垒分布计算的基础上，对该结构的浓度分布进行了计算。对于正偏情形，计入了ｎ２区产生的压降。考虑到ＧａＰ：ＮＬＥＤ发光区主要在ｐ区，注入效率γ＝ｊｎ/（ｊｎ＋ｊｐ），ｊｎ和ｊｐ分别为电子电流和空穴电流。ｐ区内的少子扩散可视为向无限远处的一维扩散；ｎ２区内外加正向偏压时电场不能忽略，空穴又被ｎ２－ｎ１结势垒阻挡（设被完全阻挡），则问题归结为求解有限厚度层中空穴的扩散和复合方程，由边界条件求出空穴扩散电流。将求出的电子扩散电流和空穴扩散电流代入注入效率的表达式即可求得γ。对在合理的参数值范围内的计算结果进行了讨论。分析表明：当ｎ２值在１０１５～１０１６ｃｍ－３范围内时，注入效率较高，与实验结果基本相符。; 赵普琴杨锡震薛洪涛; 关键词：结构参数载流子发光二极管

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薛洪涛